等离子体增强分子束外延生长ZnO薄膜及光电特性的研究

等离子体增强分子束外延生长ZnO薄膜及光电特性的研究

利用等离子体辅助分子束外延设备(P-MBE)在蓝宝石(Al2O3)衬底上外延生长ZnO薄膜,研究了不同生长温度对结晶质量的影响.随着生长温度的升高,X射线摇摆曲线(XRC)半高宽从0.88°变窄至 0.29°,从原子力显微镜(AFM)图像中发现薄膜中晶粒从20nm左右增大至200nm,室温光致发光(PL)谱中显示了一个近带边的紫外光发射(UVE)和一个与深中心有关的可见光发射.随着生长温度升高,可见光发射逐渐变弱,薄膜的室温载流子浓度由1.06×1019/cm3减少到7.66×1016/cm3,表明在高温下生长的薄膜中锌氧化学计量比趋于平衡,高质量的ZnO薄膜被获得.通过测量变温光谱,证实所有样品在室温下PL谱中紫外发光都来自于自由激子发射;随着生长温度的变化UVE峰位蓝移与晶粒尺寸不同引起的量子限域效应相关.

作 者： 梁红伟 吕有明 申德振 颜建锋 刘益春 李炳辉 赵东旭 张吉英 范希武   作者单位： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,长春 130022  刊 名： 人工晶体学报  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS  年，卷(期)： 2003 32(6)  分类号： O782.9 TN304.21  关键词： ZnO薄膜   等离子体增强分子束外延   光致发光   量子限域效应   X射线摇摆曲线  

【等离子体增强分子束外延生长ZnO薄膜及光电特性的研究】相关文章：

分子束外延生长液晶光阀用ZnSxSe1-x薄膜的研究04-27

N 掺杂ZnO薄膜的接触特性04-26

Ag掺杂对ZnO薄膜的光电性能影响04-26

分子束外延生长ZnSe自组织量子点光、电行为研究?04-27

自持金刚石厚膜上沉积生长ZnO薄膜及发光特性04-26

β-FeSi2薄膜的结构与光电特性04-26

RF溅射ZnO薄膜工艺与结构研究04-26

射频反应溅射制备的ZnO薄膜的结构和发光特性04-27

纳米ZnO薄膜制备及液态源掺杂04-27

不同氧分压下ZrO2薄膜特性研究04-26