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纳米ZnO薄膜制备及液态源掺杂
用真空蒸发法在玻璃和单晶硅片(100)上制备Zn薄膜,然后对Zn薄膜进行氧化、热处理获得纳米ZnO薄膜.对在硅片上制备的Zn薄膜一次性进行高温掺杂、氧化获得纳米ZnO∶P和ZnO∶B薄膜.研究不同氧化、掺杂温度和时间对薄膜结构、电学性能的影响.结果表明:氧化温度和时间对ZnO薄膜结构影响较大,液态源掺P可明显改善纳米ZnO薄膜的导电性能、结构特性和化学组分.
作 者： 李健 宋淑芳 季秉厚 作者单位： 内蒙古大学理工学院,呼和浩特,010021 刊 名： 真空科学与技术学报 ISTIC EI PKU 英文刊名： VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY 年，卷(期)： 2002 22(2) 分类号： O484 关键词： 真空蒸发 纳米ZnO薄膜 液态源掺杂 氧化【纳米ZnO薄膜制备及液态源掺杂】相关文章：
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