不同集成度SRAM硬X射线剂量增强效应研究

不同集成度SRAM硬X射线剂量增强效应研究

给出了不同集成度16K-4Mb 随机静态存储器SRAM在钴源和北京同步辐射装置BSRF 3W1 白光束线辐照的实验结果;通过实验在线测得SRAM位错误数随总剂量的变化,给出相同辐照剂量时20-100keV X光辐照和Co60γ射线辐照的剂量损伤效应的比例因子;给出集成度不同的SRAM器件抗γ射线总剂量损伤能力与集成度的关系;给出不同集成度SRAM器件的X射线损伤阈值.这些结果对器件抗X射线辐射加固技术研究有重要价值.

作 者： 郭红霞 陈雨生 韩福斌 罗剑辉 杨善潮 龚建成 谢亚宁 黄宇营 何伟 胡天斗   作者单位： 郭红霞,陈雨生,韩福斌,罗剑辉,杨善潮,龚建成(西北核技术研究所,西安,710024)

谢亚宁,黄宇营,何伟,胡天斗(中国科学院高能物理研究所,北京,100039) 

刊 名： 高能物理与核物理  ISTIC SCI PKU 英文刊名： HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS  年，卷(期)： 2003 27(12)  分类号： O4  关键词： 静态存储器   X射线   剂量增强效应   同步辐射  

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