Rb掺杂C60单晶的相衍变和电子态

时间:2023-04-26 14:56:51 数理化学论文 我要投稿
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Rb掺杂C60单晶的相衍变和电子态

在C60单晶超高真空解理面上制备C60的Rb填隙化合物薄膜.用同步辐射光电子能谱研究了相衍变过程.观察到对应于固溶相、Rb1C60和Rb3C60的电子态密度分布.当数纳米厚Rb3C60薄膜在C60单晶(111)解理面形成后,室温条件下进一步沉积Rb至样品表面不产生fcc到bct或bcc结构相变.C60分子的大尺寸提供了表面填隙位置使得样品表面形成Rb4C60和Rb5C60吸附相.价带电子能谱结果表明这两种表面相为金属性.Rb 3d芯态电子能谱测量进一步证实了表面Rb4C60和Rb5C60吸附相的存在.

作 者: 李宏年   作者单位: 浙江大学物理系,杭州,310027  刊 名: 物理学报  ISTIC SCI PKU 英文刊名: ACTA PHYSICA SINICA  年,卷(期): 2004 53(1)  分类号: O4  关键词: 金属性Rb4C60和Rb5C60吸附相   C60单晶   相衍变   同步辐射光电子能谱  

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