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价层轨道平均能与掺杂二硼化镁体系临界电流密度的关系
本文研究了掺杂二硼化镁超导体系的原子价层轨道平均能IEMI与临界电流密度Jc之间的关系,发现它们之间有较好的规律性.全部阳离子和阴离子的价层轨道平均能的平均值主要集中在10.12eV至11.29eV之间,阳离子与阴离子价层轨道平均能的平均值之差IDEI几乎都集中在3.59eV至4.98eV之间.对于理解晶格上电子的静电作用与超导机理的联系是很有帮助的.
作 者： 杨国峰 孙爱民 张秀娥 王顺青 张涛 黄国海 朱海滨 YANG Guo-feng SUN Ai-min ZHANG Xiu-e WANG Shun-qing ZHANG Tao HUANG Guo-hai ZHU Hai-bin 作者单位： 西北师范大学物理与电子工程学院,兰州,730070 刊 名： 低温物理学报 ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LOW TEMPERATURE PHYSICS 年，卷(期)： 2008 30(3) 分类号： O51 关键词： 价层轨道平均能 掺杂二硼化镁 临界电流密度【价层轨道平均能与掺杂二硼化镁体系临界电流密度的关系】相关文章：
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