金属掺杂多孔硅薄膜的制备及荧光光谱研究

金属掺杂多孔硅薄膜的制备及荧光光谱研究

用电化学方法对多孔硅薄膜进行了金属掺杂.用荧光分光光度计分析了样品的光致发光特性,结果表明,适量的金属掺杂增强了多孔硅的红光发射,氧化性金属掺杂还增强了多孔硅的蓝光发射,还原性金属掺杂却无此现象.红外吸收谱表明,金属掺杂多孔硅后Si-O-Si键振动增强.XRD谱表明,氧化性金属掺杂后多孔硅的无定形程度增强.对分析结果的解释为:红光增强是金属掺杂引入新的缺陷和硅、氧、金属间新的键态Si-Metal,Metal-O,Metal-Metal所致,而蓝光增强是无定形程度增强,应力增大和进一步氧化所致.

作 者： 孙小菁 马书懿 魏晋军 徐小丽 SUN Xiao-jing MA Shu-yi WEI Jin-jun XU Xiao-li   作者单位： 西北师范大学,物理与电子工程学院,甘肃,兰州,730070  刊 名： 西北师范大学学报（自然科学版）  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF NORTHWEST NORMAL UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)  年，卷(期)： 2007 43(6)  分类号： O469 TB383  关键词： 金属掺杂多孔硅   电化学   光致发光   X射线衍射   红外吸收  

【金属掺杂多孔硅薄膜的制备及荧光光谱研究】相关文章：

掺杂纳米硅薄膜的生长特性04-29

激光诱导多孔硅晶格畸变的Raman光谱和光致发光谱研究04-29

纳米ZnO薄膜制备及液态源掺杂04-27

多孔硅整流特性研究04-28

辛酸TSEPIP荧光衍生物制备及荧光光谱研究与分析应用04-29

脉冲腐蚀法制备的多孔硅对乙醇气体的响应04-28

多孔硅锗的制备及其近红外发光增强04-28

铈-明胶多孔支架的制备研究04-29

用脉冲电化学法在低HF浓度下制备多孔硅的研究04-27

稀土掺杂BAP玻璃的制备及性能研究04-28