多孔硅锗的制备及其近红外发光增强

多孔硅锗的制备及其近红外发光增强

用激光照射辅助电化学刻蚀硅锗合金样品能够形成多种低维纳米结构.在硅锗合金上形成的多孔状结构在波长为725 nm处有很强的光致发光(PL)峰,PL的增强效应不能单独用量子受限模型来解释.我们提出新的模型来解释这种低维纳米结构的PL增强效应.

作 者： 吴克跃 黄伟其 许丽 WU Ke-yue HUANG Wei-qi XU Li   作者单位： 贵州大学理学院,物理系,光电子技术与应用重点实验室,贵州,贵阳,550025  刊 名： 发光学报  ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE  年，卷(期)： 2007 28(4)  分类号： O482.31  关键词： 多孔硅锗   低维纳米结构   PL增强   界面态  

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