硅、锗材料在Si(100)表面的生长研究

硅、锗材料在Si(100)表面的生长研究

利用扫描隧道显微镜和超高真空实验装置系统进行了Si(100)表面生长Si,Ge的实验研究.分析了所生成表面的形貌、结构等物理性质.研究表明:Si在Si(100)表面的同质生长可以形成纳米结构薄膜.Ge在Si(100)表面生长形成规则的三维小岛.而在Si/Ge/Si(100)多层膜上生长则形成大小二种三维岛.研究表明大岛具有Ge/Si/Ge的壳层结构.

作 者： 汪雷 唐景昌 杨德仁 王学森 胡艳芳   作者单位： 汪雷,唐景昌,杨德仁(浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江大学物理系,杭州,310027)

王学森,胡艳芳(香港科技大学物理系,香港九龙清水湾,复旦大学物理系,上海,200433) 

刊 名： 真空科学与技术学报  ISTIC EI PKU 英文刊名： VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY  年，卷(期)： 2002 22(2)  分类号： O484.1 O472+.1  关键词： 锗   硅   扫描隧道显微镜  

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