用脉冲电化学法在低HF浓度下制备多孔硅的研究

用脉冲电化学法在低HF浓度下制备多孔硅的研究

用脉冲电化学阳极氧化的方法在5%的低HF浓度下获得多孔硅.多孔硅的形成和脉冲电场的施加、去除过程中与电解液-硅半导体体系中物理化学过程的变化有关.在施加电场的间隙,由于Si/电解液界面处HF的补充,SiO2的溶解增强,使得在低HF浓度下Si的溶解速率比其氧化速率高,从而导致多孔硅的形成.同时,在高电场作用下,由于产生了高浓度的空穴,使得氧化层变厚,导致在低HF浓度或大电流密度下多孔硅的平均孔径增大.

作 者： 叶超 宁兆元 程珊华   作者单位： 苏州大学物理系,江苏,苏州,215006  刊 名： 功能材料  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS  年，卷(期)： 2002 33(2)  分类号： O649  关键词： 多孔硅   脉冲电化学腐蚀   低HF浓度  

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