- 相关推荐
用脉冲电化学法在低HF浓度下制备多孔硅的研究
用脉冲电化学阳极氧化的方法在5%的低HF浓度下获得多孔硅.多孔硅的形成和脉冲电场的施加、去除过程中与电解液-硅半导体体系中物理化学过程的变化有关.在施加电场的间隙,由于Si/电解液界面处HF的补充,SiO2的溶解增强,使得在低HF浓度下Si的溶解速率比其氧化速率高,从而导致多孔硅的形成.同时,在高电场作用下,由于产生了高浓度的空穴,使得氧化层变厚,导致在低HF浓度或大电流密度下多孔硅的平均孔径增大.
【用脉冲电化学法在低HF浓度下制备多孔硅的研究】相关文章:
语体学视野下的“除非”句研究04-28
学法用治个人事迹(通用5篇)10-12
气体的制备、检验和净化复习教案04-24
低碳生活手抄报:低碳城市建设研究新进展06-30
浅谈硅灰对混凝土性能的影响论文11-27
大数据环境下的电子商务安全研究论文12-14
化学物质的量浓度计算公式04-23
化学物质的量的浓度公开课的教案08-25
大气CO2浓度增加对昆虫的影响10-24
低碳生活手抄报资料:垃圾桶下的秘密06-30