C+注入a-SiNx:H薄膜的微结构及光发射的研究

C+注入a-SiNx:H薄膜的微结构及光发射的研究

常温下对低压化学气相沉积制备的纳米硅镶嵌结构的a-SiNx:H 薄膜进行低能量高剂量的C+注入后,在800～1 200 ℃高温进行常规退火处理.X射线光电子能谱(XPS)及 X射线光电子衍射(XRD)等实验结果表明,当退火温度由800 ℃升高到1 200 ℃后,薄膜部分结构由SiCxNy转变成SiNx和SiC的混合结构.低温下利用真空紫外光激发,获得分别来自于SiNx、SiCxNy、SiC的,位于2.95,2.58,2.29 eV的光致发光光谱.随着退火温度的升高,薄膜的结构发生了变化,发光光谱也有相应的改变.

作 者： 陈超 刘渝珍 张国斌 徐彭寿 符义兵 董立军 陈大鹏 CHEN Chao LIU Yu-zhen ZHANG Guo-bin XU Peng-shou FU Yi-bing DONG Li-jun CHEN Da-peng   作者单位： 陈超,刘渝珍,CHEN Chao,LIU Yu-zhen(中国科学院,研究生院,北京,100049)

张国斌,徐彭寿,符义兵,ZHANG Guo-bin,XU Peng-shou,FU Yi-bing(中国科学技术大学,安徽,合肥,230026)

董立军,陈大鹏,DONG Li-jun,CHEN Da-peng(中国科学院,微电子研究所,北京,100029) 

刊 名： 发光学报  ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE  年，卷(期)： 2007 28(4)  分类号： O482.31  关键词： SiCN   C+离子注入   高温退火   X射线光电子能谱(XPS)   光致发光(PL)  

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