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轰击离子能量对CNx薄膜中sp3 型C-N键含量的影响
对磁控溅射生长在单晶Si(001)衬底上的CNx薄膜样品的化学键合及结构进行了研究. 利用不同的衬底负偏压(Vb)来控制轰击衬底表面的入射离子能量, 从而影响膜中的化学键合的状态. 样品的FTIR, Raman和XPS分析结果表明, CNx薄膜中N原子分别与sp, sp2和sp3杂化状态的C原子结合, 其中sp3型C-N键含量先随着衬底偏压(Vb)的升高而增加, 并在偏压Vb=-50 V时达到最大值, 但随着Vb继续升高, sp3型C-N键含量减少. 这表明CNx薄膜中, sp3型C-N键的含量与轰击离子的能量变化密切相关.
作 者： 李俊杰 曹培江 郑伟涛 吕宪义 卞海蛟 金曾孙 作者单位： 李俊杰(吉林大学超硬材料国家重点实验室,长春,130023;延边大学理工学院,延吉,133002)曹培江,吕宪义,金曾孙(吉林大学超硬材料国家重点实验室,长春,130023)
郑伟涛,卞海蛟(吉林大学材料科学与工程学院,长春,130023)
刊 名： 高等学校化学学报 ISTIC SCI PKU 英文刊名： CHEMICAL JOURNAL OF CHINESE UNIVERSITIES 年，卷(期)： 2003 24(5) 分类号： O484.5 关键词： CNx薄膜 化学键合 sp3 C-N键【轰击离子能量对CNx薄膜中sp3 型C-N键含量的影响】相关文章：
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