薄膜材料电容率的测量

薄膜材料电容率的测量

利用阻抗分析仪测量了金属-介质薄膜-半导体结构的C-V特性曲线. 由积累区电容得到所制备HfO2薄膜的电容为1.24 nF,计算得其相对电容率为12.49.

作 者： 吴平 张师平 闫丹 陈森 WU Ping ZHANG Shi-ping YAN Dan CHEN Sen   作者单位： 北京科技大学,应用科学学院,物理系,北京,100083  刊 名： 物理实验  PKU 英文刊名： PHYSICS EXPERIMENTATION  年，卷(期)： 2009 29(2)  分类号： O484.5  关键词： 薄膜   电容率   阻抗分析仪  

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