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基于graphene条带的硅纳米结构
采用分子动力学模拟方法研究了graphene条带上生长硅纳米结构的过程,分析了不同温度下硅原子在graphene条带边滑生成的新型纳米结构.研究表明,随机分布的硅原子吸附到锯齿型graphene条带边沿在不同的温度T下可生成不同类型的硅纳米结构:300 K≤T<2000 K时形成无规则的团簇,2000 K≤T≤2800 K时形成单原子链结构,2800K<T<3900 K时形成含缺陷的硅链结构,T≥3900 K时硅原子逐渐替代条带边沿的碳原子直至graphene条带破坏.而硅原子吸附纠扶手椅型graphene条带边沿在300 K≤T<3000 K内仅能形成非链状的不定型的硅纳米结构.
作 者: 李爱华 张凯旺 孟利军 李俊 刘文亮 钟建新 作者单位: 湘潭大学材料与光电物理学院,湘潭,411105 刊 名: 物理学报 ISTIC SCI PKU 英文刊名: ACTA PHYSICA SINICA 年,卷(期): 2008 57(7) 分类号: 关键词: graphene 硅 纳米结构 分子动力学模拟【基于graphene条带的硅纳米结构】相关文章:
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