ZnO:V薄膜后退火处理前后的微结构与发光特性

ZnO:V薄膜后退火处理前后的微结构与发光特性

利用溶胶-凝胶(Sol-gel)法在单晶硅(100)衬底上分别制备了ZnO:V薄膜和纯ZnO薄膜.为进一步研究后退火对ZnO:V薄膜结构和发光性质的影响,在两段式快速退火后又在800 ℃下进行了后退火处理.X 射线衍射的结果表明:后退火处理前,钒(V)的掺入使ZnO结晶质量变差,而800 ℃退火处理后,从ZnO的衍射峰中可以看出,相对于无V杂样品其结晶质量变好.扫描电子显微镜形貌图中可以看出制备的样品薄膜颗粒大小均匀,薄膜致密度较高.光致发光(PL)谱的研究表明:ZnO:V薄膜在800 ℃退火处理后,紫外和绿带发光峰均增强,但紫外发光峰增强得更多;与同样条件下制备的纯ZnO薄膜的PL谱比较,发现V掺杂后样品的紫外激子复合发光峰的强度明显增强且峰位发生蓝移,而缺陷引起的绿带发光峰的强度降低.

作 者： 张丽亭 魏凌 张杨 张伟风 ZHANG Li-ting WEI Ling ZHANG Yang ZHANG Wei-feng   作者单位： 河南大学,物理与电子学院,河南,开封,475004  刊 名： 发光学报  ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE  年，卷(期)： 2007 28(4)  分类号： O472.3 O482.31  关键词： ZnO   钒掺杂   光致发光   溶胶-凝胶法   薄膜  

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