ZnGa2O4纳米晶的制备和结构表征

ZnGa2O4纳米晶的制备和结构表征

采用喷射共沉淀法制备了ZnGa2O4纳米晶.XRD、SEM和TEM结构分析结果表明,喷射共沉淀法制备的Zn-Ga2O4纳米晶颗粒细小均匀,形状完整.与化学共沉淀法相比,粒子尺寸明显减小,小于10nm,同时ZnO杂相峰消失.分析了喷射共沉淀法的机理,并对实验结果进行了解释.

作 者： 焦正 刘锦淮 边历峰 钱逸泰   作者单位： 焦正,钱逸泰(中国科学技术大学化学系,安徽,合肥,230061)

刘锦淮,边历峰(中国科学院合肥智能机械研究所,安徽,合肥,230031) 

刊 名： 功能材料  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS  年，卷(期)： 2002 33(6)  分类号： O647.11  关键词： 化学共沉淀   纳米晶   ZnGa2O4  

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