- 相关推荐
MOVPE生长的InGaN/GaN单量子阱的光致发光和光吸收特性
研究了用金属有机物气相外延(MOVPE)法在蓝宝石衬底上生长的In组分浓度保持不变的InGaN/GaN单量子阱结构在室温下的发光特性和光吸收特性.实验结果表明,在InGaN厚度＜3 nm时,随着样品InGaN势阱层宽度的增加(1 nm),光致发光(PL)谱的发光峰值波长出现明显的红移33 nm现象,而且发光强度下降8%,谱线半峰全宽(FWHM)展宽,通过对样品的透射、反射光谱研究发现,量子阱层窄(1.5 nm)的样品在波长接近红外区时出现无吸收的现象,即R+T达到了100%,而在阱层较宽的样品中没有发现这一现象, 对引起这些现象的原因进行了讨论.这些结果有助于开发和优化三族氮化物半导体光电器件的进一步研究工作.
作 者： 王玥 施卫 苑进社 贺训军 胡辉 姬广举 WANG Yue SHI Wei YUAN Jin-she HE Xun-jun HU Hui JI Guang-ju 作者单位： 王玥,WANG Yue(西安理工大学,理学院,应用物理系,陕西,西安,710048;哈尔滨理工大学,电子科学与技术系,黑龙江,哈尔滨,150080)施卫,苑进社,胡辉,SHI Wei,YUAN Jin-she,HU Hui(西安理工大学,理学院,应用物理系,陕西,西安,710048)
贺训军,姬广举,HE Xun-jun,JI Guang-ju(哈尔滨理工大学,电子科学与技术系,黑龙江,哈尔滨,150080)
刊 名： 发光学报 ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE 年，卷(期)： 2007 28(3) 分类号： O472.3 O482.31 关键词： InGaN/GaN 单量子阱 光致发光 透射光谱 反射光谱 InGaN/GaN single quantum well photoluminescence transmission spectra reflection spectra【MOVPE生长的InGaN/GaN单量子阱的光致发光和光吸收特性】相关文章：
铟组分不同的InGaN材料的光致发光特性04-26
利用单光子的量子对话04-26
退火对AlGaInP/GaInP多量子阱 LED外延片性能的影响04-27
蓝宝石衬底GaN基白光LED静电老化特性04-26
约瑟夫森电荷量子比特的耗散特性04-26
超晶格量子阱的沟道效应与光学双稳态效应04-26
磁场对氮化物抛物量子阱中束缚极化子的影响04-26
含磷组分薄膜对InGaAsP/InP多量子阱无序处理的影响?04-27
水黄皮苗期生长特性和育苗技术研究04-27