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铟组分不同的InGaN材料的光致发光特性
利用光致发光谱研究了不同组分铟镓氮材料的光学特性.发现随着温度升高,2个样品的主峰表现出一种行为:半高宽度(FWHM)增加时,主峰位置红移;半高宽度减少时,主峰位置蓝移.对所得数据进行Arrhenius拟合,比较激活能得出结论:样品B中的非辐射复合中心比样品A中的易被激活;样品B中的载流子逃逸效应比样品A中更为明显.从而解释了2个样品发光效率不同的原因,为样品的改良提供了理论依据.
作 者： 郑大宇 孙元平 王莉莉 张书明 杨辉 ZHENG Da-yu SUN Yuan-ping WANG Li-li ZHANG Shu-ming YANG Hui 作者单位： 郑大宇,孙元平,ZHENG Da-yu,SUN Yuan-ping(烟台大学,光电信息科学技术学院,山东,烟台,264005)王莉莉,张书明,杨辉,WANG Li-li,ZHANG Shu-ming,YANG Hui(中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京,100083)
刊 名： 烟台大学学报（自然科学与工程版） ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF YANTAI UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE AND ENGINEERING EDITION) 年，卷(期)： 2008 21(3) 分类号： O469 关键词： 铟镓氮(InGaN) 光致发光 半高宽度 激活能【铟组分不同的InGaN材料的光致发光特性】相关文章：
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