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笔试题目和大家分享一下！
一，填空1，集成电路的分类，按材料，工艺2，集成电阻的计算，以及其制造工艺3，Vtp，Vtn的正负判断，分别对于增强型和耗尽型4，CMOS电路功耗包括哪两个部分，功耗设计主要考虑的因素……（还有几道不记得了）二，填表全定制，门阵列，FPGA各自单元模块，连线的性质……三，填图CMOS工艺流程填图画图四，问答1，CMOS单元负载较大的电容时，只有提高W，这样会使W*L增加，相对前级又时一个大电容，如何解决这一矛盾？2，结合软件谈谈全定制集成电路设计流程3，谈谈对Layout设计的看法五，翻版图或者画版图，选一第二卷1，什么时格雷码？2，Nyquist采样定例3，球一米高落下，每次探起一半，求路程和重力做功4，运算放大器1，…………2，有几级，各级之间耦合方式有几种，分析各种的优劣，笔试题目和大家分享一下！
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