电子技术基础中重点知识有哪些？如何理解这些内容？以下是小编整理的电子技术基础知讲解，欢迎阅读。
第一讲 半导体器件
1、杂质半导体与PN结
本征半导体中掺入不同的杂质就形成N型半导体和P型半导体，控制掺入杂质的多少就可以有效地改变其导电性能，从而实现导电性能的可控性。半导体中有两种载流子：自由电子与空穴。载流子有两种有序运动：因浓度差异而产生的运动称为扩散运动，因电位差而产生的运动称为漂移运动。将两种杂质半导体制作在同一块硅片（或锗片）上，在它们的交界面处，上述两种运动达到动态平衡，从而形成PN结。正确理解PN结单向导电性、反向击穿特性、温度特性和电容效应，有利于了解半导体二极管、晶体管和场效应管等电子器件的特性和参数。
2、半导体二极管
一个PN结经封装并引出电极后就构成二极管。二极管加正向电压时，产生扩散电流，电流与电压成指数关系；加反向电压时，产生漂移电流，其数值很小，体现出单向导电性。IF、IR、UR和fM是二极管的主要参数。
特殊二极管与普通二极管一样，具有单向导电性。利用PN结击穿时的特性可制成稳压二极管，利用发光材料可制成发光二极管，利用PN结的光敏性可制成光电二极管。
3、晶体管
晶体管具有电流放大作用。当发射结正向偏置而集电结反向偏置时，从发射区注入到基区的非平衡少子中仅有很少部分与基区的多子复合，形成基极电流，而大部分在集电结外电场作用下形成漂移电流IC，体现出IB（或IE、UBE）对IC的控制作用。此时，可将IC看成为电流IB控制的电流源。晶体管的输入特性和输出特性表明各极之间电流与电压的关系，β、α、 ICBO(ICEO)、ICM、U(BR)CEO、PCM和fT是它的主要参数。晶体管有截止、放大、饱和三个工作区域，学习时应特别注意使管子工作在不同工作区的外部条件。
4、场效应管
场效应管分为结型和绝缘栅型两种类型，每种类型均分为两种不同的沟道：N沟道和P沟道，而MOS管又分为增强型和耗尽型两种形式。
场效应管工作在恒流区时，利用栅一源之间外加电压所产生的电场来改变导电沟道的宽窄，从而控制多子漂移运动所产生的漏极电流ID。此时，可将ID看成电压UGS控制的电流源，转移特性曲线描述了这种控制关系。输出特性曲线描述UGS、UDS和ID三者之间的关系。gm、UGS(th)或UGS(off)、IDSS、IDM、PDM和极间电容是它的主要参数。和晶体管相类似，场效应管有夹断区（即截止区）、恒流区（即线性区）和可变电阻区三个工作区域。
尽管各种半导体器件的工作原理不尽相同，但在外特性上却有不少相同之处。例如，晶体管的输入特性与二极管的伏安特性相似；二极管的反向特性（特别是光电二极管在第三象限的反向特性）与晶体管的输出特性相似，而场效应管与晶体管的输出特性也相似。
第二讲 放大电路简介
1、放大的概念
在电子电路中，放大的对象是变化量，常用的测试信号是正弦波。放大的本质是在输入信号的作用下，通过有源元件（晶体管或场效应管）对直流电源的能量进行控制和转换，使负载从电源中获得的输出信号能量，比信号源向放大电路提供的能量大得多，因此放大的特征是功率放大。放大的前提是不失真，换言之，如果电路输出波形产生失真便谈不上放大。
2、放大电路的组成原则
①放大电路的核心元件是有源元件，即晶体管或场效应管；
②正确的直流电源电压数值、极性与其它电路参数应保证晶体管工作在放大区、场效应管工作在恒流区，即建立起合适的静态工作点，保证电路不失真；
③输入信号应能够有效地作用于有源元件的输入回路，即晶体管的b-e回路，场效应管的g-s回路；输出信号能够作用于负载之上。
3、放大电路的主要性能指标、输入电阻Ri、输出电阻Ro、最大不失输出电压 放大倍数AUom、下限、上限截止频率fL和fH、通频带fW、最大输出功率Pom、效率。
4、放大电路的分析方法
1）静态分析就是求解静态工作点Q，在输入信号为零时，晶体管和场效应管各电极间的电流与电压就是Q点。可用估算法或图解法求解。
2）动态分析就是求解各动态参数和分析输出波形。通常，利 A用h参数等效电路计算小信号作用时的u、Ri和Ro。利用图解法
分析Uom和失真情况。放大电路的分析应遵循“先静态、后动态”的原则，Q点不但影响电路输出是否失真，而且与动态参数密切相关。
5、晶体管和场效应管基本放大电路
1）晶体管基本放大电路有共射、共集、共基三种接法。共射放大电路即有电流放大作用又有电压放大作用，输入电阻居三种电路之中，输出电阻较大，适用于一般放大。共集放大电路只放大电流不放大电压，因输入电阻高而常做为多级放大电路的输入级，因输出电阻低而常做为多级放大电路的输出级，因电压放大倍数接近1而用于信号的跟随。共基电路只放大电压不放大电流，输入电阻小，高频特性好，适用于宽频带放大电路。
2）场效应管放大电路的共源接法、共漏接法与晶体管放大电路的共射、共集接法相对应，但比晶体管电路输入电阻高、噪声系数低、电压放大倍数小，适用于做电压放大电路的输入级。
6、多级放大电路的耦合方式
直接耦合放大电路存在温度漂移问题，但因其低频特性好，能够放大变化缓慢的信号，便于集成化，而得到越来越广泛的应用。
阻容耦合放大电路利用耦合电容隔离直流，较好地解决了温漂问题，但其低频特性差，不便于集成化，因此仅在分立元件电路情况下采用。
7、多级放大电路的动态参数
多级放大电路的电压放大倍数等于组成它的各级电路电压放大倍数之积。其输入电阻是第一级的输入电阻，输出电阻是末级的输出电阻。在求解某一级的电压放大倍数时，应将后级输入电阻做为负载。
多级放大电路输出波形失真时，应首先判断从哪一级开始产生失真，然后再判断失真的性质。在前级所有电路均无失真的情况下，末级的最大不失真输出电压就是整个电路的最大不失真输出电压。
第三讲 放大电路的反馈
1.反馈的概念与类型
在电子电路中，将输出量（输出电压或输出电流）的一部分或全部通过一定的电路形式作用到输入回路，用来影响其输入量（放大电路的输入电压或输入电流）的措施称为反馈。若反馈的结果使输出量的变化（或净输入量）减小，则称之为负反馈；反之，则称之为正反馈。若反馈存在于直流通路，则称为直流反馈；若反馈存在于交流通路，则称为交流反馈。本章重点研究交流负反馈。
交流负反馈有四种组态：电压串联负反馈，电压并联负反馈，电流串联负反馈，电流并联负反馈。若反馈量取－自输出电压，则称之为电压反馈；若反馈量取自输出电流,则称之为电流反馈。
2.反馈类型的判断
在分析反馈放大电路时，“有无反馈”决定于输出回路和输入回路是否存在反馈通路；“直流反馈或交流反馈”决定于反馈通路存在于直流通路还是交流通路”；“正负反馈”的判断可采用瞬时极性法，反馈的结果使净输入量减小的为负反馈，使净输入量增大的为正反馈。为判断交流负反馈放大电路中引入的是电压反馈还是电流反馈，可令输出电压等于零，若反馈量随之为零，则为电压反馈，若反馈量依然存在，则为电流反馈。
AAfF，若1A3.负反馈放大电路放大倍数的一般表达式为1/FXF1AX1Afif。引，即在深度负反馈条件下，即
1/FIR'LAUfoO入电流负反馈时，。利用可以求出四种反馈AAuf组态放大电路的电压放大倍数和uSf。
4.引入交流负反馈后可以改善放大电路多方面的性能，可以提高放大倍数的稳定性、改变输入电阻和输出电阻、展宽频带、减小非线性失真等。在实用电路中，应根据需求引入合适的反馈。
第四讲 集成电路概述、电流源电路和有源负载放大
电路
1.集成电路中的元器件特点
集成电路中的元器件是在相同的工艺条件下做出的，邻近的器
件具有良好的对称性，而且受环境温度和干扰的影响后的变化也相同，因而特别有利于实现需要对称结构的电路。
集成工艺制造的电阻、电容数值范围有一定的限制。
集成工艺制造晶体管、场效应管最容易，众多数量的晶体管通过一次综合工艺完成。集成晶体管有纵向NPN型管、横向PNP型管和场效应管，前者在集成元器件中占用硅片面积最小、性能好、β值高，用的也最多；而横向PNP管是利用制造纵向NPN管的工艺或稍加改造制成，其中PNP管β值低，但反耐压高，常和NPN型管配合使用。
2.集成电路结构形式上的特点
（1）利用元器件参数的对称性来提高电路稳定性
（2）利用有源器件代替无源元件
（3）采用直接耦合方式
（4）采用较复杂的电路结构
（5）适当利用外接分立元件
[电子技术基础知讲解]