电化学方法制备Si阵列微孔的工艺研究

电化学方法制备Si阵列微孔的工艺研究

对用电化学方法制备Si大孔阵列管坑工艺进行了初步探索. 通过对Si在KOH溶液中各向异性湿法蚀刻和在HF酸溶液中的电化学蚀刻过程中各种参数的摸索,确定在室温下制备大孔阵列的最佳配比浓度,蚀刻出符合要求的管坑阵列,为进一步制备结构化闪烁屏奠定了实验基础.

作 者： 薛智浩 孙友梅 常海龙 刘杰 侯明东 姚会军 莫丹 陈艳峰 XUE Zhi-hao SUN You-mei CHANG Hai-long LIU Jie HOU Ming-dong YAO Hui-jun MO Dan CHENYan-feng   作者单位： 薛智浩,姚会军,莫丹,陈艳峰,XUE Zhi-hao,YAO Hui-jun,MO Dan,CHENYan-feng(中国科学院近代物理研究所,甘肃,兰州,730000;中国科学院研究生院,北京,100049)

孙友梅,常海龙,刘杰,侯明东,SUN You-mei,CHANG Hai-long,LIU Jie,HOU Ming-dong(中国科学院近代物理研究所,甘肃,兰州,730000) 

刊 名： 原子核物理评论  ISTIC PKU 英文刊名： NUCLEAR PHYSICS REVIEW  年，卷(期)： 2008 25(3)  分类号： O646  关键词： 各向异性蚀刻   微孔阵列   电化学蚀刻  

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