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氧化硅-锗系统中缺陷的形成及转换
应用光吸收和电子顺磁共振等方法,对溶胶-凝胶法制得的氧化硅一锗玻璃的异常光吸收现象进行了实验研究,分析了掺铝氧化硅一锗玻璃光敏中心及其转化过程,并对紫外光辐照条件下氧化硅一锗玻璃中顺磁中心[GeO-4/Li+]0的形成及其性质进行了探讨.结果表明,在掺铝样品中发生了从锗相关的氧缺陷中心到E'中心的光化学转换.
作 者: 任中杰 徐亮 REN Zhong-jie XU Liang 作者单位: 任中杰,REN Zhong-jie(陕西师范大学民族教育学院,陕西西安,710062)徐亮,XU Liang(北京邮电大学电子工程学院,北京,100876)
刊 名: 陕西师范大学学报(自然科学版) ISTIC PKU 英文刊名: JOURNAL OF SHAANXI NORMAL UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE EDITION) 年,卷(期): 2008 36(3) 分类号: O433.5+9 关键词: 氧化硅一锗 缺陷 光敏中心【氧化硅-锗系统中缺陷的形成及转换】相关文章:
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