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圆柱面和球面真空微电子二极管内电子渡越时间的计算
从拉普拉斯(Laplace)方程和电子渡越时间的定义出发,推导出了圆柱面和球面真空微电子二极管内的电子渡越时间关系式.引入了等效真空微电子二极管的概念,进一步估算了真空微电子三极管内的典型电子渡越时间.
作 者: 陈博贤 刘光诒 夏善红 李宏彦 丁跃根 CHEN Bo-xian LIU Guang-yi XIA Shan-hong LI Hong-yan DING Yue-geng 作者单位: 陈博贤,CHEN Bo-xian(无锡中策电子有限公司,江苏,无锡,214044)刘光诒,夏善红,丁跃根,LIU Guang-yi,XIA Shan-hong,DING Yue-geng(中国科学院电子学研究所,北京,100190)
李宏彦,LI Hong-yan(京东方科技集团有限公司,北京,100015)
刊 名: 真空电子技术 ISTIC 英文刊名: VACUUM ELECTRONICS 年,卷(期): 2009 ""(6) 分类号: O462.4 关键词: 圆柱面真空微电子二极管 球面真空微电子二极管 电子渡越时间 等效真空微电子二极管 真空微电子三极管【圆柱面和球面真空微电子二极管内电子渡越时间的计算】相关文章:
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