高温闪烁晶体Ce∶YAP的生长研究

高温闪烁晶体Ce∶YAP的生长研究

Ce∶YAP晶体具有优良的闪烁性能,其主要特点是光产额大,衰减时间短,发射峰与光电倍增管的接收范围相匹配,在γ射线探测、核医学等方面有着广阔的应用前景.我们用提拉法生长了不同掺杂浓度的Ce∶YAP晶体,成功地解决了在生长过程中出现的晶体开裂及孪晶问题,并对晶体生长过程中的爬料、纯YAP晶体着色等现象作了讨论.X射线激发发射谱表明晶体的发射峰在388nm,吸收测试则显示晶体在254nm、366nm处有两个吸收峰.

作 者： 李涛 赵广军 何晓明 徐军 潘守夔 徐月泉   作者单位： 李涛,赵广军,何晓明,徐军,潘守夔(中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800)

徐月泉(上海中科嘉浦光电子材料有限公司,上海,201821) 

刊 名： 人工晶体学报  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS  年，卷(期)： 2002 31(2)  分类号： O782.5  关键词： Ce∶YAP   闪烁晶体   提拉法晶体生长   X射线激发发射谱   吸收谱  

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