镁掺杂对In2O3电导和气敏性能的影响

镁掺杂对In2O3电导和气敏性能的影响

用共沉淀法制备了Mg2+掺杂的In2O3纳米粉,研究了镁掺杂对In2O3电导和气敏性能的影响.结果表明:MgO和In2O3间可形成有限固溶体In2-xMgxO3(0≤x≤0.40);MgIn×电离的空穴对材料导带电子的湮灭,使掺镁纳米粉的电导变得很小;n(Mg2+):n(In3+)=1:2共沉淀物于900℃下热处理4 h,用所得的纳米粉制作的传感器在320～370℃下,对45μmol/L C2H5OH的灵敏度达102.5,为相同浓度干扰气体Petrol的12倍多.

作 者： 葛秀涛 倪受春   作者单位： 葛秀涛(滁州师范专科学校,化学系,滁州,239012)

倪受春(滁州师范专科学校,物理系,滁州,239012) 

刊 名： 化学物理学报  ISTIC SCI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS  年，卷(期)： 2002 15(2)  分类号： O649.4  关键词： Mg2+   In2-xMgxO3   电导   酒敏传感器  

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