α-Fe2O3掺杂对In2O3电导和气敏性能的影响

α-Fe2O3掺杂对In2O3电导和气敏性能的影响

用化学共沉淀法制备了α-Fe2O3掺杂的In2O3纳米晶微粉,研究了α-Fe2O3掺杂对In2O3电导和气敏性能的影响.结果表明,α-Fe2O3和In2O3间可形成有限固溶体In2-xFexO3(0≤x≤0.40);Fe3+对In2O3晶格中In3+格位的部分取代,大大增强了阴阳离子间的结合力,导致材料中氧空位Vo×数骤降、自由电子的浓度变稀和电导下降.n(Fe3+):n(In3+)=5:5的共沉淀粉于800℃下灼烧4 h所得的α-Fe2O3掺杂In2O3传感器元件,对45 μmol@L-1C2H5OH的灵敏度达54.0,为相同浓度干扰气体汽油的8倍多.

作 者： 葛秀涛 刘杏芹   作者单位： 葛秀涛(滁州师范专科学校化学系)

刘杏芹(中国科学技术大学材料科学与工程系) 

刊 名： 物理化学学报  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICO-CHIMICA SINICA  年，卷(期)： 2001 17(10)  分类号： O64  关键词： 共沉淀   In2-xFexO3   电导   C2H5OH   气敏性  

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