低压MOCVD生长TiO2薄膜结构和电性能研究

低压MOCVD生长TiO2薄膜结构和电性能研究

采用低压MOCVD法沉积生长了TiO2薄膜,研究了Si衬底取向、退火温度、退火时间、退火气氛对其结构和电性能的影响.结果表明,500℃下沉积生长于Si(111)和Si(100)上的TiO2薄膜为锐钛矿相多晶膜,经过600℃以上退火处理后,均可转变为纯金红石相结构.其中,Si(111)上的TiO2薄膜更容易转变为金红石相结构,而Si(100)上的TiO2薄膜,需要更高的退火温度和更长的退火时间才能转变为金红石结构.结果还表明,退火气氛中的氧分压的大小对TiO2薄膜的结构无明显的影响.

作 者： 许效红 王民 侯云 王栋 王弘 王卓   作者单位： 许效红(山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100；山东大学,化学与化工学院,山东,济南,250100)

王民,侯云,王栋,王弘,王卓(山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100) 

刊 名： 功能材料  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS  年，卷(期)： 2002 33(3)  分类号： O484  关键词： 金属有机化学气相沉积   MOCVD   TiO2薄膜   金红石  

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