静电场对硫酸钙结晶的影响及计算机模拟

静电场对硫酸钙结晶的影响及计算机模拟

实验在水浴加热和水浴加热附加静电场两种条件下,对基本相同的结晶条件(温升速率,过饱和度,水动力学等)下得到硫酸钙晶体利用扫描电镜(SEM)进行了表征和分析.分析结果显示:在基本相同结晶条件下,水浴加热附加静电场与仅水浴加热下生成的硫酸钙晶体的形貌相比,有所增大.我们从水的内能与结晶形貌的关系出发,利用蒙特卡罗(MC)方法对静电场作用下的结晶情况进行了初步的分子模拟,解释了这一特殊现象.该分析结果可用于指导水溶液中生长晶体,外加一定强度的静电场可能得到更大更完整的晶体.

作 者： 王照伦 杨晓庆 WANG Zhao-lun YANG Xiao-qing   作者单位： 四川大学电子信息学院,成都,610064  刊 名： 四川大学学报（自然科学版）  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF SICHUAN UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE EDITION)  年，卷(期)： 2007 44(5)  分类号： O74 TP3  关键词： 静电场   硫酸钙晶体   形貌   蒙特卡罗方法  

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