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直接统计模拟位置元方法中的分子表面反射确定论判据
在直接模拟Monte-Carlo(DSMC)方法的位置元方法中准确判断分子是否与某一表面元相撞,直接关系着气动力热的计算精度,是方法需要解决的关键问题.本文发展的分子表面反射判据,使这个问题得到了有效的解决.此外,还讨论了分子空间位置坐标的记录方法、分子碰撞对的极限距离、网格自适应等实际模拟技术.与圆球自由分子流准确解和过渡领域贴体网格DSMC模拟结果的比较,证明了上述判据和技术的有效性.
作 者: 樊菁 刘宏立 沈青 陈黎明 Fan Jing Liu Hongli Shen Qing Chen Liming 作者单位: 樊菁,刘宏立,沈青,Fan Jing,Liu Hongli,Shen Qing(中国科学院力学研究所,北京,100080)陈黎明,Chen Liming(清华大学工程力学系,北京,100084)
刊 名: 空气动力学学报 ISTIC EI PKU 英文刊名: ACTA AERODYNAMICA SINICA 年,卷(期): 2000 18(2) 分类号: V211.3 关键词: 过渡领域流动 位置元方法 分子表面反射确定论判据【直接统计模拟位置元方法中的分子表面反射确定论判据】相关文章:
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