国产SOI 1750A微处理器抗辐射效应模拟试验

国产SOI 1750A微处理器抗辐射效应模拟试验

文章介绍了对国内首次研制成功的航天用SOI工艺16位微处理器1750A进行抗辐射效应地面模拟试验的情况,分析了试验结果,初步预估了该器件的抗辐射效应能力,为该器件在空间环境中的应用提供了依据.

作 者： 王晶 王月 孙越强 WANG JING WANG YUE SUN YUEQIANG   作者单位： 中国科学院空间科学与应用研究中心,北京,100080  刊 名： 微计算机信息  PKU 英文刊名： CONTROL & AUTOMATION  年，卷(期)： 2008 24(2)  分类号： V416 V520.6 V423.6  关键词： 微处理器   SOI   单粒子效应   HI-13串列加速器   加速器模拟试验  

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