多路读写的SDRAM接口设计
摘要：介绍SDRAM的主要控制信号和基本命令时序，提出一种应用于解复用的支持多路读写的SDRAM接口设计，为需要大容量存储器的电路设计提供了新思路。关键词：SDRAM 解复用 接口
存储器是容量数据处理电路的重要组成部分。随着数据处理技术的进一步发展，对于存储器的容量和性能提出了越来越高的要求。同步动态随机存储器SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）因其容量大、读写速度快、支持突发式读写及相对低廉的价格而得到了广泛的应用。SDRAM的控制比较复杂，其接口电路设计是关键。
本文首先介绍SDRAM的主要控制信号和基本命令；然后介绍接口电路对SDRAM的主要操作路径及操作过程，应用于解复用的SDRAM接口电路的设计方法；最后给出了实现结果。
1 SDRAM的主要控制信号和基本命令
SDRAM的主要控制信号为：
·CS：片选使能信号，低电平有效；
·RAS：行地址选通信号，低电平有效；
·CAS：列地址选通信号，低电平有效；
·WE：写使能信号，低电平有效。
SDRAM的基本命令及主要控制信号见表1。
表1 SDRAM基本操作及控制信号
命 令 名 称CSRASCASWE命令禁止（NOP:Command inhibit）HXXX空操作（NOP：No operation）LHHH激活操作（ACT：Select bank and active row）LLHH读操作（READ：Select bank and column,and start READ burst）LHLH写操作（WRITE：Select bank and column,and start WRITE burst）LHLL[1] [2] [3]