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Cd胁迫下黄菖蒲幼苗根系生长与Cd积累的研究
摘要： 采用水培法研究了Cd胁迫对黄菖蒲(Iris pseudacorus L.)幼苗根系生长和Cd含量的影响,用透射电镜观察了Cd胁迫对根尖细胞亚显微结构的影响并确定了Cd沉积部位.结果表明,10 mg·L-1 Cd处理对黄菖蒲幼苗根系的生长有一定促进作用,根毛数量及不定根上侧根的数量、密度和长度均高于对照;Cd浓度高于25 mg·L-1时,根系的生长发育受到抑制,上述指标均显著低于对照.用10～40 mg·L-1 Cd处理后,黄菖蒲幼苗不定根上侧根中的Cd含量均显著高于未长侧根的不定根和去掉侧根的不定根(P<0.05),说明不定根上的侧根对Cd沉积有重要作用.100 mg·L-1 Cd处理能导致根尖细胞质浓缩、质壁分离和液泡变大,且大量Cd颗粒沉积在细胞壁上和细胞间隙中,表明细胞壁和细胞间隙对Cd的沉积作用可能足黄菖蒲幼苗耐Cd胁迫的重要机理之一. 作 者： 仇硕 黄苏珍 QIU Shuo HUANG Su-zhen 作者单位： 江苏省·中国科学院植物研究所(南京中山植物园),江苏,南京,210014 期 刊： 植物资源与环境学报 ISTIC Journal： JOURNAL OF PLANT RESOURCES AND ENVIRONMENT 年，卷(期)： 2008, 17(3) 分类号： X173 S564+.3 Q945.78 关键词： 黄菖蒲 Cd胁迫 Cd沉积 根系 超微结构【Cd胁迫下黄菖蒲幼苗根系生长与Cd积累的研究】相关文章：
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