氟羟磷灰石通道离子的FTIR研究

氟羟磷灰石通道离子的FTIR研究

以傅立叶变换红外光谱为表征手段,对合成的氟羟磷灰石通道离子进行研究.结果发现:F-离子替换羟基后,羟基在3573和634 cm-1的振动吸收带强度减弱,而在3542 、678 、715和736 cm-1左右出现新的振动谱带,且随F-离子含量不同出现规律性变化.新出现的谱带数目与群论推测的结果相符,表明该谱带属于羟基基团;羟基振动吸收带的变化,表明F-离子替换羟基的位置,形成[OH…F]氢键,使羟基的伸缩振动向低频偏移,弯曲振动向高频偏移.另外,通过3542～3573cm-1和715～736cm-1左右的谱带相对面积比与F-含量的关系,可为F-离子替换羟基行为提供一些依据.

作 者： 许涛 刘羽 XU Tao LIU Yu   作者单位： 武汉工程大学材料科学与工程学院,武汉,430073  刊 名： 光散射学报  ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LIGHT SCATTERING  年，卷(期)： 2007 19(1)  分类号： P578 O657  关键词： 氟羟磷灰石   通道离子   FTIR   群论  

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