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CeO-2(110)表面上CO氧化反应的密度泛函理论研究
利用密度泛函理论系统研究了O_2与CO在CeO_2(110)表面的吸附反应行为.研究表明,O_2在清洁的CeO_2(110)表面吸附热力学不利,而在氧空位表面为强化学吸附,O_2分子被活化,可能是重要的氧化反应物种.CO在清洁的CeO_2(110)表面有化学吸附与物理吸附两种构型,前者形成二齿碳酸盐物种,后者与表面仅存在弱相互作用.在氧空位表面,CO可分子吸附或形成碳酸盐物种,相应吸附能均较低.当表面氧空位吸附O_2后(O_2/O_v),CO可吸附生成碳酸盐或直接生成CO_2,与原位红外光谱结果相一致.过渡态计算发现,O_2/O_v/CeO_2(110)表面的三齿碳酸盐物种经两齿、单齿过渡态脱附生成CO_2.利用扩展休克尔分子轨道理论分析了典型吸附构型的电子结构,说明表面碳酸盐物种三个氧原子电子存在离域作用,物理吸附的CO及生成的CO_2电子结构与相应自由分子相似.
作 者: 滕波涛 蒋仕宇 郭晓伟 袁金焕 罗孟飞 Teng,Botao Jiang,Shiyu Guo,Xiaowei Yuan,Jinhuan Luo,Mengfei 作者单位: 浙江师范大学物理化学研究所,浙江省固体表面重点实验室,金华,321004 刊 名: 化学学报 ISTIC SCI PKU 英文刊名: ACTA CHIMICA SINICA 年,卷(期): 2009 67(24) 分类号: O6 关键词: CO氧化 CeO_2(110)表面 密度泛函理论 扩展休克尔分子轨道理论 CO oxidation CeO_2(110) surface density functional theory extended Hückel molecular orbital theory【CeO-2(110)表面上CO氧化反应的密度泛函理论研究】相关文章:
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