nc-Si/SiO2多层膜的制备及蓝光发射

nc-Si/SiO2多层膜的制备及蓝光发射

在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中,采用a-Si∶H层淀积与原位等离子体氧化相结合的逐层生长的方法成功制备出a-Si∶H/SiO2多层膜 (ML);利用限制性结晶原理通过两步退火处理使a-Si∶H层晶化获得尺寸可控的nc-Si/SiO2 ML,并观察到室温下的蓝光发射;结合Raman散射和剖面透射电子显微镜技术分析了nc-Si/SiO2 ML的结构特性;通过对晶化样品光致发光谱和紫外-可见光吸收谱的研究,探讨了蓝光发射的起源.

作 者： 隋妍萍 马忠元 陈坤基 李伟 徐骏 黄信凡   作者单位： 南京大学物理系,固体微结构物理国家重点实验室,南京,210093  刊 名： 物理学报  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA  年，卷(期)： 2003 52(4)  分类号： O4  关键词： 纳米硅多层膜   等离子体氧化   蓝光发射   热退火  

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