SiC功率金属-半导体场效应管的陷阱效应模型

SiC功率金属-半导体场效应管的陷阱效应模型

针对4H-SiC射频大功率MESFET,建立了一个解析的陷阱效应模型,该模型采用简化参数描述方法,并结合自热效应分析,从理论上完善了SiC MESFET大信号直流I-V特性的解析模型,且避免了数值方法模拟陷阱效应的巨大计算量.

作 者： 杨林安 张义门 于春利 张玉明   作者单位： 西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071  刊 名： 物理学报  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA  年，卷(期)： 2003 52(2)  分类号： O4  关键词： 碳化硅   陷阱效应   金属-半导体场效应晶体管   深能级陷阱   界面态  

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