Yb:YAG晶体的可见荧光及其机理研究

Yb:YAG晶体的可见荧光及其机理研究

在半导体InGaAs激光激发Yb:YAG晶体的荧光中,有一组位于460～494 nm的可见荧光.分析了这些可见荧光产生的原因,指出它不同于红外荧光的发光机理,是一种离子对的合作吸收和发射.两个离子耦合成的离子对产生的可见荧光,其强度随激发功率的平方变化.提高晶体中离子对的密度,可见荧光可以得到增强.

作 者： 史全林 杜荣建 田乃良   作者单位： 史全林(长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,吉林,长春,130022)

杜荣建,田乃良(天津理工学院光电信息与电子工程系,天津,300191) 

刊 名： 光电子·激光  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF OPTOELECTRONICS·LASER  年，卷(期)： 2003 14(8)  分类号： O431.2  关键词： Yb:YAG晶体   可见荧光   离子对   机理  

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