Nd掺杂对ZnSe薄膜微结构的影响

Nd掺杂对ZnSe薄膜微结构的影响

利用真空蒸发的方法制备ZnSe多晶薄膜,并采用双源法对薄膜进行了稀土元素Nd的掺杂.对薄膜进行了XRD测试,并计算了薄膜的晶粒尺寸、晶格常数以及内应力.结果表明,当原子配比Zn:Se=0.9:1时可制备较理想的Znse多晶薄膜,稀土Nd掺杂并未改变样品的物相结构,掺杂使得薄膜的晶粒尺寸减小,晶胞体积增加,内应力和晶格常数改变.实验还发现,适度的轻掺杂Nd可增加ZnSe薄膜的光透射性.

作 者： 吴蓉 李蓉萍 安晓晖 何志刚 李忠贤 WU Rong LI Rong-ping AN Xiao-hui HE Zhi-gang LI Zhong-xian   作者单位： 内蒙古大学,物理科学与技术学院,呼和浩特,010021  刊 名： 信息记录材料  ISTIC 英文刊名： INFORMATION RECORDING MATERIALS  年，卷(期)： 2009 10(6)  分类号： O484  关键词： ZnSe薄膜   微结构   真空蒸发   掺杂  

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