LGS晶体的化学腐蚀及缺陷分布

LGS晶体的化学腐蚀及缺陷分布

采用提拉法生长得到LGS单晶,采用磷酸作腐蚀剂,对LGS晶体做了一系列腐蚀实验.实验结果表明:对于不同方向晶面,腐蚀液的配比和腐蚀时间等条件各不相同.根据腐蚀坑可以判定.其极轴是二次轴[1120]方向,并可具体确定极轴方向.关于腐蚀坑的分布可以判定,在现行条件下生长的晶体具有较高的质量.

作 者： 黄庆捷 孔海宽 李军 高磊 葛文伟 张怀金 胡小波 江怀东 王继扬   作者单位： 黄庆捷,孔海宽,高磊,葛文伟,张怀金,胡小波,江怀东,王继扬(山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100)

李军(山东中晶光电子公司,山东,济南,250100) 

刊 名： 功能材料  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS  年，卷(期)： 2003 34(2)  分类号： O738 O77 O78  关键词： La3Ga5SiO14   化学腐蚀   缺陷   提拉法  

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