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单片微控制器系统的静电放电敏感性研究
分别以2种常用的微控制器芯片80C196和AT89C51为核心设计的2种单片微控制器系统做为目标测试板,利用静电放电电磁脉冲分别对这2种系统进行静电放电效应实验研究,并对其失效机理进行分析.实验结果表明, 80C196单片微控制器系统对静电放电比89C51单片微控制器系统敏感,单片机系统在静电放电电磁脉冲作用下出现死机、跳转、重启动、RAM内容改写等功能失效现象.
作 者: 宋学君 张希军 刘尚合 SONG Xue-jun ZHANG Xi-jun LIU Shang-he 作者单位: 宋学君,SONG Xue-jun(军械工程学院,静电与电磁防护研究所,河北,石家庄,050003;河北师范大学,物理科学与信息工程学院,河北,石家庄,050016)张希军,刘尚合,ZHANG Xi-jun,LIU Shang-he(军械工程学院,静电与电磁防护研究所,河北,石家庄,050003)
刊 名: 河北大学学报(自然科学版) ISTIC PKU 英文刊名: JOURNAL OF HEBEI UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE EDITION) 年,卷(期): 2007 27(6) 分类号: O441 关键词: 单片机系统 静电放电 电磁脉冲敏感性【单片微控制器系统的静电放电敏感性研究】相关文章:
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