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DNA在纳米碳管上的检测及甘草素-Cu(Ⅱ)对DNA的损伤研究
本文用恒电位溶出法测定了单链、双链DNA在纳米碳管上的电化学行为,详细讨论了各种因素的影响,并研究了甘草素在铜离子的存在下对DNA的损伤作用,发现在0.84 V左右出现一个新峰,1.06 V的峰升高.同时用压电石英阻抗技术实时监测了这个损伤过程,进行进一步地佐证,频率的变化是损伤过程中的DNA降解导致的溶液粘密度变化所产生的.
作 者: 刘英菊 袁锐昌 黎艳玲 LIU Ying-ju YUAN Rui-chang LI Yan-ling 作者单位: 刘英菊,袁锐昌,LIU Ying-ju,YUAN Rui-chang(华南农业大学理学院应用化学系,广东,广州,510642)黎艳玲,LI Yan-ling(长沙卷烟厂科研所,湖南,长沙,410007)
刊 名: 化学研究与应用 ISTIC PKU 英文刊名: CHEMICAL RESEARCH AND APPLICATION 年,卷(期): 2007 19(6) 分类号: O657.1 关键词: 甘草素 纳米碳管 DNA损伤 恒电位溶出分析【DNA在纳米碳管上的检测及甘草素-Cu(Ⅱ)对DNA的损伤研究】相关文章:
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