应用于超大规模集成电路工艺的高密度等离子体源研究进展

应用于超大规模集成电路工艺的高密度等离子体源研究进展

本文简要地介绍了等离子体的产生方式以及传统的射频电容耦合等离子体源.对电子回旋共振等离子体(ECR),感应耦合等离子体(ICP),螺旋波等离子体(HWP)等几种新型的高密度等离子体源[1]的工作原理及结构重点作了分析讨论,并从运行参数上对其进行了比较.最后对高密度等离子体工艺加工中的等离子体约束以及器件损伤问题的最新研究进展进行了介绍.

作 者： 王平 杨银堂 徐新艳 杨桂杰   作者单位： 西安电子科技大学微电子所,西安,710071  刊 名： 真空科学与技术学报  ISTIC EI PKU 英文刊名： VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY  年，卷(期)： 2002 22(4)  分类号： O531  关键词： 高密度等离子体源   电子回旋共振   感应耦合等离子体   螺旋波等离子体   器件损伤  

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