聚丙烯腈纳米纤维毡上生长ZnSe纳米晶的结构及发光特性

聚丙烯腈纳米纤维毡上生长ZnSe纳米晶的结构及发光特性

通过静电纺丝制备聚丙烯腈(PAN)纳米纤维毡,采用水热法在二乙烯三胺和去离子水的混合溶剂中于180℃下制备ZnSe/聚丙烯腈纤维纳米毡复合材料.使用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、荧光光谱等分析方法对ZnSe/聚丙烯腈复合材料进行表征.结果表明,ZnSe/聚丙烯腈复合材料的形貌较复杂,既有直径10～100 nm,长度50～500 nm的纳米棒,也存在4～10 μm左右的ZnSe微米花.260 nm波长光激发下ZnSe/聚丙烯腈复合材料的发射光谱包括位于351 nm(3.55 eV)的弱近紫外激子峰和位于427 nm(2.91 eV)的宽谱带缺陷发光峰,二者相对于ZnSe晶体的本征发射带468 nm均有明显的蓝移效应.

作 者： 封燕 周正发 徐卫兵 何典 黄国庆 FENG Yan ZHOU Zheng-fa XU Wei-bing HE Dian HUANG Guo-qing   作者单位： 合肥工业大学,高分子科学与工程系,安徽,合肥,230009  刊 名： 发光学报  ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE  年，卷(期)： 2007 28(5)  分类号： O482.31  关键词： ZnSe纳米晶   聚丙烯腈   静电纺丝   光致发光  

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