脉冲准分子激光沉积纳米WO3多晶电致变色薄膜的研究

脉冲准分子激光沉积纳米WO3多晶电致变色薄膜的研究

采用脉冲准分子激光大面积扫描沉积技术,在不同条件下,在透明导电衬底SnO2:In2O)3(IIO)及Si(111)单晶衬底上沉积了非晶WOx薄膜采用X射线衍射(ⅪD)、Rmman光谱(RS)、Fourier红外光谱(FT-IR)及透射电镜扫描附件(STEM)对在不同条件下沉积及不同温度退火处理的样品进行了结构分析.结果表明:氧气氛和衬底温度是决定薄膜结构和成分的主要参数采用三斜相的WO3靶材,在100℃及20 Pa氧压下沉积,经300℃以上退火处理,在Si(111)及IIO衬底上得到了二斜相的纳米晶WO3薄膜随着氧压的减少,薄膜中氧缺位增多采用lT)基片,氧压20)Pa,经300℃热处理的薄膜,呈多晶态,晶粒分布均匀,晶粒平均尺寸为20～30 nn经400℃热处理的薄膜,呈多晶态,晶界明显,晶粒分布呈开放型多孔结构,晶粒平均尺寸为30～50 Bm这一典型的结构有利于离子的注入和抽出.

作 者： 方国家 刘祖黎 周远明 姚凯伦   作者单位：   刊 名： 硅酸盐学报  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY  年，卷(期)： 2001 29(6)  分类号： O484:O433  关键词： 二氧化钨薄膜   纳米晶   脉冲准分子激光沉积   ]工艺条件   结构分析  

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