V2O5复合薄膜材料的电子结构研究

V2O5复合薄膜材料的电子结构研究

采用自洽场离散变分Xα方法对纯V2O5及V2O5复合薄膜不同状态的O1s及V2p轨道电子结合能和键强度等进行了研究. 结果表明, V2O5结构中存在4种状态的氧和3种状态的钒, 聚合物(PEO)或聚合物(PEO)-Li+嵌入V2O5结构主要存在于层间的位置, 与双键氧产生弱的键合作用, 导致双键氧与五价钒的含量降低, 三键氧与三价、四价钒的含量增加;纯V2O5层间嵌入的Li+与周围氧的共价键与静电力都非常明显, V2O5层间引入PEO后再嵌入Li+, Li+与周围氧的共价键与静电力都变的非常微弱, 说明PEO嵌入V2O5层间使Li+具有很好的注入/脱出可逆性.

作 者： 周静 陈文 徐庆 闵新民   作者单位： 周静(武汉理工大学材料科学与工程学院,武汉,430070)

陈文,徐庆(武汉理工大学材料科学与工程学院,武汉,430070;武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070)

闵新民(武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070) 

刊 名： 硅酸盐学报  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY  年，卷(期)： 2002 30(2)  分类号： O641  关键词： 五氧化二钒   复合薄膜   结合能   键强度   电子结构  

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