IDT推出为6G SAS/SATA优化的业界首款高性能中继器/安森美半导

IDT推出为6G SAS/SATA优化的业界首款高性能中继器/安森美半导体推出符合汽车标准的自保护低端MOSFET驱动IC

作 者：   作者单位：   刊 名： 电子与电脑  英文刊名： COMPOTECH CHINA  年，卷(期)： 2010 ""(1)  分类号：   关键词：  

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